說明：西門子SIMODRIVE 611 功率模塊 原裝現(xiàn)貨

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***備件*** SIMODRIVE 611 功率模塊，2-軸，25A 內(nèi)部散熱 電機額定電流： 進給 = 9A 主軸 = 8A 

參數(shù)：西門子SIMODRIVE 611 功率模塊 原裝現(xiàn)貨

建議同時購買：

1LE1003-0DB32-2JA4-Z D01+D34

WITHOUT MOTOR PROTECTION SIMOTICS GP 電機型號：1AV3083B 的補充 低壓電機，IEC 籠型轉子，自冷，IP55 熱量級 155(F)根據(jù) 130(B) 鋁制外殼 Premium Efficiency IE3， 4-芯 * 組件 80M * 0.75kW (50Hz) 0.86kW(60Hz) 50Hz 230VD/400VY 三相交流 * 60Hz 460VY 三相交流 IM B 35 * 法蘭：FF165(A200) 上方接線盒 D01 = CCC 中國強制認證 D34=中國能源效率 標簽

1FK7080-5AH71-1DH2

插頭可旋轉 270° 產(chǎn)品到期通知參見 SIOS 編號 103198923 SIMOTICS S同步伺服變速箱 1FK7 緊湊型，2.15kW自冷卻式 功率插頭/信號插頭 插頭可旋轉 270°電機無駐車制動器齒輪箱直接安裝 注意： 只有通過 DT 配置器才能選擇齒輪箱！ 增量編碼器 2048 S/R（編碼器 I-2048） 帶 Drive-CLiQ 接口 光滑的軸，公差 N 帶駐車制動器 防護等級 IP65 驅動側法蘭 IP67

1FK7103-5AF71-1FB0

同步電機 1FK7-HI PN = 5.2kW； UZK = 600VM0 = 36Nm (100K)；NN = 2000rpm；自冷卻式 SIMOTICS S 同步電機 1FK7-HIPN = 4.4kW；UZK = 600V M0 = 36Nm (100K)； 值編碼器 2048 S/R（編碼器 A-2048） 帶 Drive-CLiQ 接口； 功率降低 10% 由于 值編碼器 帶滑鍵的軸，公差 N 帶駐車制動器 防護等級 IP64

3RP2555-1AW30

時間繼電器，電子 非對稱閃光繼電器 1 個轉換觸點 15 個時間范圍，0.05 s-100 h 12-240 V AC/DC AC 50/60 Hz 時 帶有 LED，螺栓型端子連接

3RT2037-1AN20

功率模塊的封裝外形各式各樣，新的封裝形式日新月異，一般按管芯或芯片的組裝工藝及安裝固定方法的不同，主要分為壓接結構、焊接結構、直接敷銅DBC基板結構，所采用的封裝形式多為平面型以及，存在難以將功率芯片、控制芯片等多個不同工藝芯片平面型安裝在同一基板上的問題。為開發(fā)高性能的產(chǎn)品，以混合IC封裝技術為基礎的多芯片模塊MCM封裝成為目前主流發(fā)展趨勢，即重視工藝技術研究，更關注產(chǎn)品類型開發(fā)，不僅可將幾個各類芯片安裝在同一基板上，而且采用埋置、有源基板、疊層、嵌入式封裝，在三維空間內(nèi)將多個不同工藝的芯片互連，構成完整功能的模塊。

　　壓接式結構延用平板型或螺栓型封裝的管芯壓接互連技術，點接觸靠內(nèi)外部施加壓力實現(xiàn)，解決熱疲勞穩(wěn)定性問題，可制作大電流、高集成度的功率模塊，但對管芯、壓塊、底板等零部件平整度要求很高，否則不僅將增大模塊的接觸熱阻，而且會損傷芯片，嚴重時芯片會撕裂，結構復雜、成本高、比較笨重，多用于晶閘管功率模塊。 焊接結構采用引線鍵合技術為主導的互連工藝，包括焊料凸點互連、金屬柱互連平行板方式、凹陷陣列互連、沉積金屬膜互連等技術，解決寄生參數(shù)、散熱、可靠性問題，目前已提出多種實用技術方案。例如，合理結構和電路設計二次組裝已封裝元器件構成模塊；或者功率電路采用芯片，控制、驅動電路采用已封裝器件，構成高性能模塊；多芯片組件構成功率智能模塊。 DBC基板結構便于將微電子控制芯片與高壓大電流執(zhí)行芯片密封在同一模塊之中，可縮短或減少內(nèi)部引線，具備更好的熱疲勞穩(wěn)定性和很高的封裝集成度，DBC通道、整體引腳技術的應用有助于MCM的封裝，整體引腳無需額外進行引腳焊接，基板上有更大的有效面積、更高的載流能力，整體引腳可在基板的所有四邊實現(xiàn)，成為MCM功率半導體器件封裝的重要手段，并為模塊智能化創(chuàng)造了工藝條件。

　　MCM封裝解決兩種或多種不同工藝所生產(chǎn)的芯片安裝、大電流布線、電熱隔離等技術問題，對生產(chǎn)工藝和設備的要求很高。MCM外形有側向引腳封裝、向上引腳封裝、向下引腳封裝等方案。簡而言之，側向引腳封裝基本結構為DBC多層架構，DBC板帶有通道與整體引腳，可閥框架焊于其上，引線鍵合后，焊上金屬蓋完成封裝。向上引腳封裝基本結構也采用多層DBC，上層DBC邊緣留有開孔，引腳直接鍵合在下層DBC板上，可閥框架焊于其上，引線鍵合后，焊上金屬蓋完成封裝。向下引腳封裝為單層DBC結構，銅引腳通過DBC基板預留通孔，直接鍵合在上層導體銅箔的背面，可閥框架焊于其上，引線鍵合、焊上金屬蓋完成封裝。

　　綜觀功率模塊研發(fā)動態(tài)，早已突破初定義是將兩個或兩個以上的功率半導體芯片(各類晶閘管、整流二極管、功率復合晶體管、功率MOSFET、絕緣柵雙極型晶體管等)，按一定電路互連，用彈性硅凝膠、環(huán)氧樹脂等保護材料密封在一個絕緣外殼內(nèi)，并與導熱底板絕緣的概念，邁向將器件芯片與控制、驅動、過壓過流及過熱與欠壓保護等電路芯片相結合，密封在同*緣外殼內(nèi)的智能化功率模塊時代。